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    以電漿氧化成長氧化鉭摻銅薄膜之雙極式電阻切換研究
    • 材料科學與工程系 /100/ 碩士
    • 研究生: 趙啟良 指導教授:
    • 本研究利用共濺鍍系統沉積出TaN(Cu)的混合薄膜,並使用電漿氧化的方式直接氧化下電極製作出中間電阻層,之後再沉積出TaN薄膜當作上電極,製備出TaN/Cu-TaOx/TaN(Cu)的MIM三層結構…
    • 點閱:184下載:2

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    以氧化鋯和氧化鋯-氧化鎳薄膜為介電層進行單極式電阻切換研究
    • 材料科學與工程系 /100/ 碩士
    • 研究生: 栗漢翔 指導教授:
    • 本篇論文研究以Al作為上下電極,使用ZrO2以及NiO作為主要之中間層,製備 電阻式記憶體元件,並透過調節ZrO2與NiO之比例以及鍍膜時氧氣之通量來改善元 件之性質。 當元件之介電層使用ZrO2時…
    • 點閱:375下載:9

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    電漿氧化成長氧化鋁與氧化鋁-氧化銅介電層之單極式電阻切換研究
    • 材料科學與工程系 /100/ 碩士
    • 研究生: 吳雅婷 指導教授:
    • 本研究以Al與Al(Cu 5wt%)靶材濺鍍沉積下電極層,以RF與MW電漿氧化的方式成長電阻層,上電極皆以Al濺鍍,製成Al/AlOx/Al、Al/AlOx+CuOx/Al(Cu 5wt%)三層結構…
    • 點閱:198下載:14
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