檢索結果:共3筆資料 檢索策略: "周賢鎧".cadvisor (精準) and year="100"
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本研究利用共濺鍍系統沉積出TaN(Cu)的混合薄膜,並使用電漿氧化的方式直接氧化下電極製作出中間電阻層,之後再沉積出TaN薄膜當作上電極,製備出TaN/Cu-TaOx/TaN(Cu)的MIM三層結構…
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本篇論文研究以Al作為上下電極,使用ZrO2以及NiO作為主要之中間層,製備 電阻式記憶體元件,並透過調節ZrO2與NiO之比例以及鍍膜時氧氣之通量來改善元 件之性質。 當元件之介電層使用ZrO2時…
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本研究以Al與Al(Cu 5wt%)靶材濺鍍沉積下電極層,以RF與MW電漿氧化的方式成長電阻層,上電極皆以Al濺鍍,製成Al/AlOx/Al、Al/AlOx+CuOx/Al(Cu 5wt%)三層結構…